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半导体器件、半导体器件的制备方法及射频开关器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411614603.0
申请日：
2024-11-12
公开(公告)号：
CN119584586A
公开(公告)日：
2025-03-07
发明(设计)人：
张旭 周强 李海艇 李佳俊
申请人：
江苏卓胜微电子股份有限公司
申请人地址：
214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/10 H10D62/13 H03K17/687
代理机构：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人：
刘贺秋
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20241112
2025-03-07 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件及射频开关器件 [P]. 
张旭 ;
周强 ;
李海艇 ;
李佳俊 .
中国专利 :CN119497416A ,2025-02-21
[2]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28
[3]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
汪维金 ;
李享 ;
孟雅楠 ;
刘应东 ;
雷红 .
中国专利 :CN120565499A ,2025-08-29
[4]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
于海龙 ;
董信国 ;
孟昭生 .
中国专利 :CN118782534A ,2024-10-15
[5]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28
[6]
半导体器件制备方法及半导体器件 [P]. 
陈鹏飞 ;
李芹 ;
张旭 ;
林祐丞 .
中国专利 :CN120730765B ,2025-11-25
[7]
半导体器件制备方法及半导体器件 [P]. 
陈鹏飞 ;
李芹 ;
张旭 ;
林祐丞 .
中国专利 :CN120730765A ,2025-09-30
[8]
半导体器件及射频开关 [P]. 
张松 ;
高天宝 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN118919534A ,2024-11-08
[9]
半导体器件制备方法以及半导体器件 [P]. 
黄秋铭 ;
谭俊 ;
高剑琴 ;
钟健 .
中国专利 :CN105742284A ,2016-07-06
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
伊艾伦 ;
欧欣 ;
周民 .
中国专利 :CN116741639B ,2025-04-18
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