半导体器件及射频开关器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411609787.1

申请日：

2024-11-12

公开(公告)号：

CN119497416A

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

张旭周强李海艇李佳俊

申请人：

江苏卓胜微电子股份有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/60

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

刘贺秋

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20241112

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件的制备方法及射频开关器件 [P].

张旭 ;

周强 ;

李海艇 ;

李佳俊 .

中国专利 :CN119584586A ,2025-03-07

[2]

半导体器件及射频开关 [P].

张松 ;

高天宝 ;

倪建兴 .

中国专利 :CN118919534A ,2024-11-08

[3]

半导体器件 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114823675B ,2024-12-06

[4]

半导体器件 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114823675A ,2022-07-29

[5]

半导体开关器件 [P].

C·W·希区柯克 ;

S·J·肯纳利 ;

L·D·斯特万诺维奇 .

美国专利 :CN118472032A ,2024-08-09

[6]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

张魁 ;

应战 .

中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28

[7]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

汪维金 ;

李享 ;

孟雅楠 ;

刘应东 ;

雷红 .

中国专利 :CN120565499A ,2025-08-29

[8]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

于海龙 ;

董信国 ;

孟昭生 .

中国专利 :CN118782534A ,2024-10-15

[9]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

张魁 ;

应战 .

中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28

[10]

射频半导体器件及用于制作射频半导体器件的方法 [P].

S·康普罗布斯特 ;

T·埃尔多尔 ;

W·哈特纳 .

德国专利 :CN118553729A ,2024-08-27

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