ＡｇＡｕＳｅ系多元化合物からなる半導体ナノ粒子[ja]

被引：0

申请号：

JP20230010539

申请日：

2023-01-26

公开(公告)号：

JP7580090B2

公开(公告)日：

2024-11-11

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C01B19/00

IPC分类号：

B82Y30/00 C09K11/08 C09K11/58 C09K11/62 C09K11/64 C09K11/88 C09K11/89

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法律状态：

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共 50 条

[1]

ＡｇＡｕＳ系多元化合物からなる半導体ナノ粒子[ja] [P].

日本专利 :JP7269591B1 ,2023-05-09

[2]

ＡｇＡｕＳ系化合物からなる半導体ナノ粒子[ja] [P].

日本专利 :JP7693175B2 ,2025-06-17

[3]

ＡｇＡｕＴｅ化合物を主成分とする半導体ナノ粒子[ja] [P].

TORIMOTO TSUKASA ;

MIYAMAE CHIE ;

YOSHIKAWA ATSUSHI ;

KAMEYAMA TATSUYA ;

SATO HIRONORI ;

OSHIMA YUSUKE ;

SATO HIROAKI ;

KANASUGI TAKAFUMI .

日本专利 :JP2025075379A ,2025-05-15

[4]

ＡｇＡｕＴｅ化合物を主成分とする半導体ナノ粒子[ja] [P].

日本专利 :JP7521746B1 ,2024-07-24

[5]

フラーレン化合物からなるｎ型半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010055898A1 ,2012-04-12

[6]

窒化物系化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015182283A1 ,2017-04-20

[7]

窒化物系化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JP6174253B2 ,2017-08-02

[8]

半導体化合物[ja] [P].

日本专利 :JP6099634B2 ,2017-03-22

[9]

化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JP5888240B2 ,2016-03-16

[10]

化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012077526A1 ,2014-05-19

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