ＡｇＡｕＳ系化合物からなる半導体ナノ粒子[ja]

被引：0

申请号：

JP20230502414

申请日：

2022-02-22

公开(公告)号：

JP7693175B2

公开(公告)日：

2025-06-17

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IPC主分类号：

C01G7/00

IPC分类号：

B82Y20/00

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共 50 条

[1]

ＡｇＡｕＳ系多元化合物からなる半導体ナノ粒子[ja] [P].

日本专利 :JP7269591B1 ,2023-05-09

[2]

ＡｇＡｕＳｅ系多元化合物からなる半導体ナノ粒子[ja] [P].

日本专利 :JP7580090B2 ,2024-11-11

[3]

ＡｇＡｕＴｅ化合物を主成分とする半導体ナノ粒子[ja] [P].

TORIMOTO TSUKASA ;

MIYAMAE CHIE ;

YOSHIKAWA ATSUSHI ;

KAMEYAMA TATSUYA ;

SATO HIRONORI ;

OSHIMA YUSUKE ;

SATO HIROAKI ;

KANASUGI TAKAFUMI .

日本专利 :JP2025075379A ,2025-05-15

[4]

ＡｇＡｕＴｅ化合物を主成分とする半導体ナノ粒子[ja] [P].

日本专利 :JP7521746B1 ,2024-07-24

[5]

窒化物系化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015182283A1 ,2017-04-20

[6]

窒化物系化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JP6174253B2 ,2017-08-02

[7]

フラーレン化合物からなるｎ型半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010055898A1 ,2012-04-12

[8]

化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012077526A1 ,2014-05-19

[9]

窒化物系化合物半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP5656930B2 ,2015-01-21

[10]

ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006054580A1 ,2008-05-29

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