银硫基类塑性无机半导体及实现银硫基塑性无机半导体超高塑性变形量的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410079496.X

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN118992987A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

朱铁军汪越楚付晨光李艾燃

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C01B19/00

IPC分类号：

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

何秋霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 19/00申请日:20240119
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有塑性变形能力的无机半导体材料及其制备方法 [P].

李秀艳 ;

任晟弘 ;

卢柯 .

中国专利 :CN118206079A ,2024-06-18

[2]

一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料 [P].

柴文祥 ;

吴晓云 ;

宋莉 ;

朱秋梦 ;

郭冰 ;

秦来顺 ;

沈杭燕 ;

陈海潮 ;

舒康颖 .

中国专利 :CN105837834A ,2016-08-10

[3]

一种窄带隙银基半导体的制备方法和应用 [P].

任栋楼 ;

朱彬 ;

钟正一 .

中国专利 :CN120001391A ,2025-05-16

[4]

一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用 [P].

史迅 ;

魏天然 ;

金敏 .

中国专利 :CN113493924B ,2021-10-12

[5]

用于密封半导体设备的热塑性树脂组合物及使用其密封的半导体设备 [P].

韩承 ;

金民兼 .

中国专利 :CN111527122A ,2020-08-11

[6]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN103560191A ,2014-02-05

[7]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101911322A ,2010-12-08

[8]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN103560396A ,2014-02-05

[9]

稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件 [P].

新美宪一 ;

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1154191C ,2000-12-06

[10]

银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传器与应用技术 [P].

陈吉堃 ;

于谊平 ;

张秀兰 .

中国专利 :CN115096935A ,2022-09-23

← 1 2 3 4 5 →