一种具有塑性变形能力的无机半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410336897.9

申请日：

2024-03-22

公开(公告)号：

CN118206079A

公开(公告)日：

2024-06-18

发明(设计)人：

李秀艳任晟弘卢柯

申请人：

中国科学院金属研究所

申请人地址：

110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

C01B19/04

IPC分类号：

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

张志伟

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	公开	公开
2024-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 19/04申请日:20240322

共 50 条

[1]

无机半导体材料及其制备方法 [P].

何斯纳 ;

吴龙佳 ;

吴劲衡 .

中国专利 :CN112349850A ,2021-02-09

[2]

银硫基类塑性无机半导体及实现银硫基塑性无机半导体超高塑性变形量的方法 [P].

朱铁军 ;

汪越楚 ;

付晨光 ;

李艾燃 .

中国专利 :CN118992987A ,2024-11-22

[3]

具有大塑性变形能力的难熔高熵合金材料及其制备方法 [P].

程兴旺 ;

徐子祁 ;

王梦 ;

陈义文 ;

谭友德 .

中国专利 :CN108998715A ,2018-12-14

[4]

一种无机半导体纳米材料及其制备方法 [P].

周云龙 ;

唐智勇 .

中国专利 :CN102211756A ,2011-10-12

[5]

一种塑性半导体材料以及其制备方法 [P].

史迅 ;

刘睿恒 ;

郝峰 ;

王拓 .

中国专利 :CN110117817B ,2019-08-13

[6]

一种半导体材料及其制备方法 [P].

王艳宁 ;

佟亮 ;

万敏 ;

刘静苑 ;

曹龙文 ;

陈立庄 .

中国专利 :CN113929586A ,2022-01-14

[7]

一种半导体材料及其制备方法 [P].

王艳宁 ;

佟亮 ;

万敏 ;

刘静苑 ;

曹龙文 ;

陈立庄 .

中国专利 :CN113929586B ,2024-04-19

[8]

一种聚芴‑无机半导体复合OLED显示材料及制备方法 [P].

陈庆 ;

曾军堂 ;

王镭迪 .

中国专利 :CN106833620A ,2017-06-13

[9]

一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用 [P].

史迅 ;

魏天然 ;

金敏 .

中国专利 :CN113493924B ,2021-10-12

[10]

改善镁合金板材塑性变形能力的方法 [P].

陈兴品 ;

肖睿 ;

刘庆 .

中国专利 :CN102304684A ,2012-01-04

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