一种塑性半导体材料以及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810117079.4

申请日：

2018-02-06

公开(公告)号：

CN110117817B

公开(公告)日：

2019-08-13

发明(设计)人：

史迅刘睿恒郝峰王拓

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2946 C30B2912 C30B2802 C30B1102

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;熊子君

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	公开	公开
2019-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20180206
2021-01-12	授权	授权

共 50 条

[1]

掺杂的有机半导体材料以及其制备方法 [P].

安斯加尔·维尔纳 ;

梅尔廷·普法伊费尔 ;

托尔斯滕·弗里茨 ;

卡尔·利奥 .

中国专利 :CN1698137B ,2005-11-16

[2]

一种半导体材料及其制备方法 [P].

王艳宁 ;

佟亮 ;

万敏 ;

刘静苑 ;

曹龙文 ;

陈立庄 .

中国专利 :CN113929586A ,2022-01-14

[3]

一种半导体材料及其制备方法 [P].

王艳宁 ;

佟亮 ;

万敏 ;

刘静苑 ;

曹龙文 ;

陈立庄 .

中国专利 :CN113929586B ,2024-04-19

[4]

一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法 [P].

王庶民 ;

潘文武 ;

李耀耀 ;

王朋 ;

王凯 ;

吴晓燕 ;

崔健 .

中国专利 :CN104810454A ,2015-07-29

[5]

一种具有塑性变形能力的无机半导体材料及其制备方法 [P].

李秀艳 ;

任晟弘 ;

卢柯 .

中国专利 :CN118206079A ,2024-06-18

[6]

一种半导体材料BaFxZnAs及其制备方法 [P].

陈碧娟 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN104099664B ,2014-10-15

[7]

半导体材料、其制备方法以及电子器件 [P].

弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

卡斯滕·罗特 ;

本杰明·舒尔策 .

中国专利 :CN111566836A ,2020-08-21

[8]

半导体材料、其制备方法以及电子器件 [P].

弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

卡斯滕·罗特 ;

本杰明·舒尔策 .

德国专利 :CN111566836B ,2024-09-27

[9]

半导体材料及其制备方法 [P].

邓湛川 ;

唐杰 ;

郭明瑶 ;

张珉硕 ;

王力 .

中国专利 :CN121099676A ,2025-12-09

[10]

含锡半导体材料及其制备方法 [P].

米启兮 ;

姚琪舜 ;

张莹玥 .

中国专利 :CN111470528A ,2020-07-31

← 1 2 3 4 5 →