一种塑性半导体材料以及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810117079.4

申请日：

2018-02-06

公开(公告)号：

CN110117817B

公开(公告)日：

2019-08-13

发明(设计)人：

史迅刘睿恒郝峰王拓

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2946 C30B2912 C30B2802 C30B1102

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;熊子君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	公开	公开
2019-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20180206
2021-01-12	授权	授权

共 50 条

[41]

一种半导体材料及其制备方法与应用 [P].

孟鸿 ;

陈小龙 ;

贺耀武 ;

朱亚楠 .

中国专利 :CN110467628B ,2019-11-19

[42]

半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106373871A ,2017-02-01

[43]

半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106783616B ,2017-05-31

[44]

一种合金热电半导体材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

李娟 .

中国专利 :CN107799646A ,2018-03-13

[45]

一种线状悬浮发光半导体材料的制备方法和半导体材料 [P].

王培杰 ;

尤卿章 ;

薄文静 ;

李泽 ;

张利胜 .

中国专利 :CN118422194A ,2024-08-02

[46]

晶体半导体材料的制备 [P].

U·克拉特 ;

C·施密德 ;

J·哈恩 .

中国专利 :CN103038004A ,2013-04-10

[47]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[48]

半导体材料的表面钝化方法以及半导体基板 [P].

杰斯屋未·夫奇斯 ;

维埃特·轩·努言 ;

汤玛斯·普尔拿 ;

沃夫冈·佑斯 .

中国专利 :CN110121786B ,2019-08-13

[49]

半导体材料的生长方法以及半导体衬底 [P].

刘建奇 ;

任国强 ;

王建峰 ;

徐科 ;

杨辉 .

中国专利 :CN101770941A ,2010-07-07

[50]

一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法 [P].

曹文田 .

中国专利 :CN106435479A ,2017-02-22

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