晶体半导体材料的制备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180019046.2

申请日：

2011-04-11

公开(公告)号：

CN103038004A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

U·克拉特 C·施密德 J·哈恩

申请人：

申请人地址：

德国弗罗伊登施塔特

IPC主分类号：

B22D2704

IPC分类号：

C01B3302 C30B1500 C30B2902

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

石克虎;林森

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	授权	授权
2013-04-10	公开	公开
2013-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101458117786 IPC(主分类):B22D 27/04 专利申请号:2011800190462 申请日:20110411

共 50 条

[1]

半导体材料、用于制备半导体材料的层的方法、包含半导体材料的有机半导体器件和化合物 [P].

托马斯·斯坦内特 .

德国专利 :CN119836865A ,2025-04-15

[2]

半导体材料的制备方法 [P].

朱廷刚 .

中国专利 :CN102881570A ,2013-01-16

[3]

半导体材料的制备方法 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN109306466A ,2019-02-05

[4]

蓝光发射半导体纳米晶体材料 [P].

乔纳森·S·斯特克尔 ;

约翰·P·齐默 ;

塞思·科-沙利文 ;

内森·E·斯托特 ;

弗拉迪米尔·布洛维克 ;

芒吉·G·巴温迪 .

中国专利 :CN101208808B ,2008-06-25

[5]

晶体半导体材料的制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

平贺透 ;

野口隆 ;

碓井节夫 ;

森芳文 .

中国专利 :CN1341954A ,2002-03-27

[6]

制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法 [P].

德拉姆·P·戈塞恩 ;

町田晓夫 ;

中野一志 ;

藤野敏夫 ;

佐藤淳一 .

中国专利 :CN1249779C ,2004-05-12

[7]

半导体材料、制备半导体材料的层的方法、包含有机半导体材料的有机半导体器件、包含有机半导体器件的显示器件和化合物 [P].

杰罗姆·加尼耶 ;

托马斯·斯坦内特 ;

约翰内斯·斯科尔茨 ;

黄强 .

德国专利 :CN119856598A ,2025-04-18

[8]

有机膜晶体管、有机半导体膜、有机半导体材料和它们的应用 [P].

高久浩二 ;

金子明弘 ;

杉浦宽记 ;

益居健介 ;

米久田康智 ;

平井友树 ;

小柳雅史 .

中国专利 :CN105378961B ,2016-03-02

[9]

半导体材料制备设备 [P].

陈海燕 ;

王春林 ;

鲁林峰 ;

汪昌州 ;

陈小源 .

中国专利 :CN104697331B ,2015-06-10

[10]

半导体材料制备装置 [P].

张育民 ;

徐科 ;

王建峰 .

中国专利 :CN210575857U ,2020-05-19

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