一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210281153.2

申请日：

2022-03-21

公开(公告)号：

CN114875482B

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

许福军王嘉铭沈波郎婧康香宁

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B25/16 C30B29/40 H01L33/02 H01L33/32

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

商秀玲

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用 [P].

许福军 ;

王嘉铭 ;

沈波 ;

郎婧 ;

康香宁 .

中国专利 :CN114875482A ,2022-08-09

[2]

一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 [P].

许福军 ;

沈波 ;

解楠 ;

王明星 ;

孙元浩 ;

刘百银 ;

秦志新 .

中国专利 :CN108155090A ,2018-06-12

[3]

一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王明星 ;

王嘉铭 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN109994377A ,2019-07-09

[4]

一种高质量AlN及其制备方法和应用 [P].

许福军 ;

沈波 ;

解楠 ;

王明星 ;

孙元浩 ;

刘百银 ;

王新强 ;

秦志新 .

中国专利 :CN108364852A ,2018-08-03

[5]

一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法 [P].

王充 ;

侯杰 ;

张童 ;

张晓娜 .

中国专利 :CN118390159B ,2024-08-23

[6]

一种制备高质量ZnO材料的方法 [P].

朱顺明 ;

印杰 ;

顾书林 ;

叶建东 ;

汤琨 ;

黄时敏 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN103938183A ,2014-07-23

[7]

一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法 [P].

王充 ;

侯杰 ;

张童 ;

张晓娜 .

中国专利 :CN118390159A ,2024-07-26

[8]

一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

董鑫 ;

焦腾 ;

张源涛 ;

张宝林 ;

李赜明 .

中国专利 :CN111725072B ,2020-09-29

[9]

一种高质量n型碳化硅及其制备方法 [P].

方帅 ;

高宇晗 ;

高超 .

中国专利 :CN111270305A ,2020-06-12

[10]

一种高质量GaN薄膜及其制备方法 [P].

贾伟 ;

樊腾 ;

李天保 ;

仝广运 ;

董海亮 ;

许并社 .

中国专利 :CN108538977B ,2018-09-14

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