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一种绝缘聚合物载流子迁移率测试装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411126647.9
申请日
:
2024-08-16
公开(公告)号
:
CN119023739A
公开(公告)日
:
2024-11-26
发明(设计)人
:
赵谡
尹毅
郑喆
钟璐瑶
赵孝磊
王亚林
范路
吴建东
申请人
:
上海交通大学
申请人地址
:
200240 上海市闵行区东川路800号
IPC主分类号
:
G01N27/00
IPC分类号
:
G01R31/00
G01R19/00
H05G1/26
代理机构
:
北京新科华领知识产权代理事务所(普通合伙) 16115
代理人
:
吴变变
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-13
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/00申请日:20240816
2024-11-26
公开
公开
2025-03-14
授权
授权
共 50 条
[1]
一种绝缘聚合物载流子迁移率测试装置
[P].
论文数:
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机构:
赵谡
;
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机构:
尹毅
;
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机构:
郑喆
;
钟璐瑶
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机构:
上海交通大学
上海交通大学
钟璐瑶
;
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机构:
赵孝磊
;
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机构:
王亚林
;
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机构:
范路
;
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机构:
吴建东
.
中国专利
:CN119023739B
,2025-03-14
[2]
一种绝缘材料低载流子迁移率检测方法及装置
[P].
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尹毅
;
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赵谡
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郑喆
;
钟璐瑶
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上海交通大学
上海交通大学
钟璐瑶
;
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机构:
赵孝磊
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机构:
王亚林
;
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范路
;
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机构:
吴建东
.
中国专利
:CN119000795B
,2025-04-25
[3]
一种绝缘材料低载流子迁移率检测方法及装置
[P].
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尹毅
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赵谡
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郑喆
;
钟璐瑶
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上海交通大学
上海交通大学
钟璐瑶
;
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机构:
赵孝磊
;
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机构:
王亚林
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机构:
范路
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机构:
吴建东
.
中国专利
:CN119000795A
,2024-11-22
[4]
一种预测聚合物绝缘材料载流子迁移率的方法及系统
[P].
赵学风
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
赵学风
;
郭广致
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
郭广致
;
孙浩飞
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
孙浩飞
;
高健
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
高健
;
段玮
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
段玮
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蒲路
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
蒲路
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林涛
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
林涛
;
琚泽立
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
琚泽立
;
侯喆
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
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侯喆
;
王辰曦
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
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王辰曦
;
邓军波
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国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
邓军波
.
中国专利
:CN116110524B
,2025-12-02
[5]
一种液体电介质载流子迁移率的测试装置及方法
[P].
成立
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成立
;
程之栋
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程之栋
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杨丽君
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杨丽君
;
廖瑞金
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廖瑞金
;
王琳
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王琳
.
中国专利
:CN110412357B
,2019-11-05
[6]
具有高载流子迁移率的绿色可溶性共轭聚合物
[P].
P·M·波居
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P·M·波居
;
J·R·雷诺兹
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J·R·雷诺兹
;
S·M·埃林格
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S·M·埃林格
.
中国专利
:CN102762630A
,2012-10-31
[7]
一种基于飞行时间法的材料载流子迁移率测试装置
[P].
王桥波
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王桥波
;
梁建树
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梁建树
;
梁华丽
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梁华丽
;
陈志毅
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陈志毅
;
梁华倩
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梁华倩
.
中国专利
:CN217484443U
,2022-09-23
[8]
一种载流子迁移率高的MOSFET
[P].
毛昊源
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毛昊源
.
中国专利
:CN216354226U
,2022-04-19
[9]
载流子迁移率的检测装置及检测方法
[P].
王成
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机构:
TCL科技集团股份有限公司
TCL科技集团股份有限公司
王成
.
中国专利
:CN117705768A
,2024-03-15
[10]
载流子迁移率的计算方法和装置
[P].
王新
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
王新
;
高文琳
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
高文琳
;
母凤文
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
母凤文
;
郭超
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
郭超
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中国专利
:CN117233568B
,2024-02-13
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