一种绝缘材料低载流子迁移率检测方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411126960.2

申请日：

2024-08-16

公开(公告)号：

CN119000795B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

尹毅赵谡郑喆钟璐瑶赵孝磊王亚林范路吴建东

申请人：

上海交通大学

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

G01N27/00

IPC分类号：

G01R31/00 G01R19/00 H05G1/26

代理机构：

北京新科华领知识产权代理事务所(普通合伙) 16115

代理人：

吴变变

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/00申请日:20240816
2025-04-25	授权	授权
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种绝缘材料低载流子迁移率检测方法及装置 [P].

尹毅 ;

赵谡 ;

郑喆 ;

钟璐瑶 ;

赵孝磊 ;

王亚林 ;

范路 ;

吴建东 .

中国专利 :CN119000795A ,2024-11-22

[2]

一种绝缘聚合物载流子迁移率测试装置 [P].

赵谡 ;

尹毅 ;

郑喆 ;

钟璐瑶 ;

赵孝磊 ;

王亚林 ;

范路 ;

吴建东 .

中国专利 :CN119023739B ,2025-03-14

[3]

一种绝缘聚合物载流子迁移率测试装置 [P].

赵谡 ;

尹毅 ;

郑喆 ;

钟璐瑶 ;

赵孝磊 ;

王亚林 ;

范路 ;

吴建东 .

中国专利 :CN119023739A ,2024-11-26

[4]

一种预测聚合物绝缘材料载流子迁移率的方法及系统 [P].

赵学风 ;

郭广致 ;

孙浩飞 ;

高健 ;

段玮 ;

蒲路 ;

林涛 ;

琚泽立 ;

侯喆 ;

王辰曦 ;

邓军波 .

中国专利 :CN116110524B ,2025-12-02

[5]

载流子迁移率的检测装置及检测方法 [P].

王成 .

中国专利 :CN117705768A ,2024-03-15

[6]

提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 [P].

赵德刚 ;

朱建军 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101192518A ,2008-06-04

[7]

一种载流子迁移率高的MOSFET [P].

毛昊源 .

中国专利 :CN216354226U ,2022-04-19

[8]

一种液体电介质载流子迁移率的测试装置及方法 [P].

成立 ;

程之栋 ;

杨丽君 ;

廖瑞金 ;

王琳 .

中国专利 :CN110412357B ,2019-11-05

[9]

载流子迁移率的计算方法和装置 [P].

王新 ;

高文琳 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN117233568B ,2024-02-13

[10]

一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法 [P].

谢欣云 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102427043A ,2012-04-25

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