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氮化铝薄膜的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310484251.0
申请日
:
2023-04-28
公开(公告)号
:
CN118854236A
公开(公告)日
:
2024-10-29
发明(设计)人
:
耿宏伟
杨帆
李庆明
白锡春
申请人
:
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
:
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
:
C23C14/35
IPC分类号
:
H01L21/02
C23C14/06
C23C14/54
代理机构
:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
:
彭瑞欣;王婷
法律状态
:
公开
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-10-29
公开
公开
2024-11-15
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20230428
共 50 条
[1]
氮化铝薄膜的制备方法
[P].
卢建航
论文数:
0
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0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
卢建航
;
王子荣
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
王子荣
;
王农华
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
王农华
.
中国专利
:CN118712057B
,2024-12-31
[2]
氮化铝薄膜的制备方法
[P].
卢建航
论文数:
0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
卢建航
;
王子荣
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
王子荣
;
王农华
论文数:
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0
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0
机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
王农华
.
中国专利
:CN118712057A
,2024-09-27
[3]
氮化铝薄膜和氮化铝薄膜的制造方法
[P].
佐藤一成
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佐藤一成
;
水原奈保
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水原奈保
;
谷崎圭祐
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谷崎圭祐
;
宫永伦正
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宫永伦正
;
樱田隆
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樱田隆
;
山本喜之
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山本喜之
;
中幡英章
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0
中幡英章
.
中国专利
:CN101970708B
,2011-02-09
[4]
刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法
[P].
徐东
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徐东
;
陈达
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陈达
;
张亚非
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张亚非
;
蔡炳初
论文数:
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蔡炳初
.
中国专利
:CN101101874A
,2008-01-09
[5]
氮化铝薄膜及其制备方法
[P].
戴文武
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
戴文武
;
黄勇
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
黄勇
.
中国专利
:CN119162548A
,2024-12-20
[6]
氮化铝薄膜及其制备方法
[P].
戴文武
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
戴文武
;
黄勇
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
黄勇
.
中国专利
:CN119162548B
,2025-04-25
[7]
调控氮化铝薄膜极性的方法
[P].
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引用数:
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机构:
魏同波
;
王璐璐
论文数:
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0
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
王璐璐
;
论文数:
引用数:
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机构:
王军喜
.
中国专利
:CN120366732A
,2025-07-25
[8]
一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件
[P].
邢琨
论文数:
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机构:
珠海庞纳微半导体科技有限公司
珠海庞纳微半导体科技有限公司
邢琨
;
胡君玮
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机构:
珠海庞纳微半导体科技有限公司
珠海庞纳微半导体科技有限公司
胡君玮
;
杨波
论文数:
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机构:
珠海庞纳微半导体科技有限公司
珠海庞纳微半导体科技有限公司
杨波
.
中国专利
:CN116695239B
,2025-07-04
[9]
氮化铝薄膜的制备方法及氮化镓薄膜的生长方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
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机构:
无锡先为科技有限公司
无锡先为科技有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN119252729A
,2025-01-03
[10]
一种氮化铝薄膜及其制备方法和用途
[P].
闫兰琴
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闫兰琴
;
褚卫国
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褚卫国
;
徐丽华
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徐丽华
;
赵乐
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赵乐
.
中国专利
:CN111364017B
,2020-07-03
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