调控氮化铝薄膜极性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410095966.1

申请日：

2024-01-23

公开(公告)号：

CN120366732A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

魏同波王璐璐王军喜

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C23C16/34

IPC分类号：

C23C16/18

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

肖慧

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	公开	公开
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/34申请日:20240123

共 50 条

[1]

氮化铝薄膜和氮化铝薄膜的制造方法 [P].

佐藤一成 ;

水原奈保 ;

谷崎圭祐 ;

宫永伦正 ;

樱田隆 ;

山本喜之 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101970708B ,2011-02-09

[2]

氮化铝薄膜的制备方法 [P].

耿宏伟 ;

杨帆 ;

李庆明 ;

白锡春 .

中国专利 :CN118854236A ,2024-10-29

[3]

一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN114284397A ,2022-04-05

[4]

氮化铝薄膜的制备方法 [P].

卢建航 ;

王子荣 ;

王农华 .

中国专利 :CN118712057B ,2024-12-31

[5]

氮化铝薄膜的制备方法 [P].

卢建航 ;

王子荣 ;

王农华 .

中国专利 :CN118712057A ,2024-09-27

[6]

刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法 [P].

徐东 ;

陈达 ;

张亚非 ;

蔡炳初 .

中国专利 :CN101101874A ,2008-01-09

[7]

一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

徐立跃 ;

王钦华 ;

陈王义博 ;

李路 ;

杨帆 ;

蔡鑫 ;

李建洁 ;

陶佳豪 .

中国专利 :CN113130296A ,2021-07-16

[8]

一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

徐立跃 ;

王钦华 ;

陈王义博 ;

李路 ;

杨帆 ;

蔡鑫 ;

李建洁 ;

陶佳豪 .

中国专利 :CN113130296B ,2024-04-12

[9]

一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件 [P].

邢琨 ;

胡君玮 ;

杨波 .

中国专利 :CN116695239B ,2025-07-04

[10]

氮化铝薄膜及其制备方法 [P].

戴文武 ;

黄勇 .

中国专利 :CN119162548A ,2024-12-20

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