改善漏电的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411023668.8

申请日：

2024-07-29

公开(公告)号：

CN119008800A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

张奕尹涌陆香花徐义兰朱广敏

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L33/20

IPC分类号：

H01L33/22 H01L33/00

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/20申请日:20240729
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

改善漏电的发光二极管及其制备方法 [P].

江宾 ;

石跃航 ;

宋飞翔 ;

王江波 ;

王绘凝 .

中国专利 :CN120640845A ,2025-09-12

[2]

改善漏电的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

田宇航 ;

刘战祥 ;

魏柏林 ;

田艳红 .

中国专利 :CN118431374A ,2024-08-02

[3]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472B ,2025-10-03

[4]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472A ,2024-12-10

[5]

改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

石跃航 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22

[6]

改善EOS的发光二极管及其制备方法 [P].

崔伟豪 ;

林振华 ;

陈沛然 ;

刘小亮 ;

魏柏林 ;

王薇 .

中国专利 :CN120835647A ,2025-10-24

[7]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896A ,2022-11-25

[8]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896B ,2025-09-05

[9]

发光二极管及其制备方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

张毓 ;

蔡和勋 .

中国专利 :CN120076511B ,2025-12-05

[10]

发光二极管及其制备方法 [P].

肖和平 ;

李威 ;

汪洋 ;

黄彪彪 .

中国专利 :CN117936657A ,2024-04-26

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