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一种设有外延结构的氮化镓半导体器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202420522938.9
申请日：
2024-03-18
公开(公告)号：
CN221947138U
公开(公告)日：
2024-11-01
发明(设计)人：
郑继军
李唐波
李泽泽
申请人：
深圳市华亿半导体有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市宝安区燕罗街道罗田社区象山大道462号3栋厂房201
IPC主分类号：
H01L23/32
IPC分类号：
H01L23/10
F16F15/08
代理机构：
深圳市高智新知识产权代理事务所(普通合伙) 441060
代理人：
黄丽娴
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-01 | 授权 | 授权 |