一种氮化镓外延片及半导体器件

被引：0

申请号：

CN202122921034.2

申请日：

2021-11-23

公开(公告)号：

CN217444413U

公开(公告)日：

2022-09-16

发明(设计)人：

李利哲王国斌

申请人：

申请人地址：

215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3332 H01L2906 H01L2920

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

冯瑞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866192U ,2020-06-26

[2]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210897292U ,2020-06-30

[3]

氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件 [P].

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN117558745B ,2025-07-25

[4]

氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件 [P].

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN117558745A ,2024-02-13

[5]

一种氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866191U ,2020-06-26

[6]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

李啓珍 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN215377414U ,2021-12-31

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN211529944U ,2020-09-18

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