氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311523642.5

申请日：

2023-11-14

公开(公告)号：

CN117558745B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

樊永辉许明伟樊晓兵

申请人：

深圳市汇芯通信技术有限公司

申请人地址：

518037 广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城（南区）T2栋2701

IPC主分类号：

H10D62/85

IPC分类号：

H01L21/205

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司 11415

代理人：

孙毅俊

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/20申请日:20231114
2024-02-13	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓外延片及其制造方法及半导体器件 [P].

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN117558745A ,2024-02-13

[2]

一种氮化镓外延片及半导体器件 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN217444413U ,2022-09-16

[3]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866192U ,2020-06-26

[4]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210897292U ,2020-06-30

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209199940U ,2019-08-02

[6]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

中国专利 :CN113539808A ,2021-10-22

[7]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN102751335A ,2012-10-24

[8]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

日本专利 :CN113539808B ,2024-08-27

[9]

氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620158A ,2019-12-27

[10]

氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620158B ,2025-06-03

← 1 2 3 4 5 →