半导体模块和半导体模块的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380036744.6

申请日：

2023-10-10

公开(公告)号：

CN119096365A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

中村瑶子岩谷昭彦齐藤麻衣渡壁翼

申请人：

富士电机株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L23/48 H01L25/18

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;厉敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/07申请日:20231010

共 50 条

[1]

半导体模块 [P].

玉井雄大 ;

岩谷昭彦 ;

齐藤麻衣 ;

渡壁翼 ;

中村瑶子 .

日本专利 :CN119110993A ,2024-12-10

[2]

半导体模块 [P].

渡壁翼 ;

岩谷昭彦 ;

中村瑶子 ;

玉井雄大 ;

齐藤麻衣 .

日本专利 :CN119110985A ,2024-12-10

[3]

半导体模块 [P].

齐藤麻衣 ;

中村瑶子 ;

渡壁翼 ;

岩谷昭彦 .

日本专利 :CN119110994A ,2024-12-10

[4]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 .

中国专利 :CN115527953A ,2022-12-27

[5]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 ;

池田良成 ;

西泽龙男 ;

堀元人 ;

望月英司 .

中国专利 :CN113224015A ,2021-08-06

[6]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

堀尾真史 ;

西泽龙男 ;

望月英司 ;

丸山力宏 .

中国专利 :CN101335263A ,2008-12-31

[7]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 ;

池田良成 ;

西泽龙男 ;

望月英司 .

中国专利 :CN113224022A ,2021-08-06

[8]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

堀元人 ;

池田良成 .

中国专利 :CN112599486A ,2021-04-02

[9]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

井上大辅 .

日本专利 :CN119008534A ,2024-11-22

[10]

半导体模块、半导体装置以及半导体模块的制造方法 [P].

上村威 .

中国专利 :CN112185910A ,2021-01-05

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