半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711107833.8

申请日：

2017-11-10

公开(公告)号：

CN108011005B

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

李刚

申请人：

深圳大道半导体有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区西丽街道平山民企工业园4栋3层302

IPC主分类号：

H01L33/48

IPC分类号：

H01L33/58 H01L33/62 H01L33/50 H01L33/00

代理机构：

深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314

代理人：

林俭良;王少虹

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

李刚 .

中国专利 :CN108011005A ,2018-05-08

[2]

半导体发光器件 [P].

李刚 .

中国专利 :CN207441737U ,2018-06-01

[3]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

李刚 .

中国专利 :CN103227276A ,2013-07-31

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

李刚 .

中国专利 :CN111162065A ,2020-05-15

[5]

半导体发光器件及其封装方法 [P].

周明杰 ;

马文波 ;

陈贵堂 ;

时朝璞 ;

乔延波 ;

罗茜 .

中国专利 :CN102576796B ,2012-07-11

[6]

改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法 [P].

冯海涛 ;

蔡德晟 .

中国专利 :CN103413883B ,2013-11-27

[7]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

山本秀一郎 ;

小河淳 ;

石田真也 ;

神川刚 .

中国专利 :CN1816952A ,2006-08-09

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

细羽弘之 .

中国专利 :CN1080939C ,1997-01-29

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

朴炯兆 ;

姜大成 ;

孙孝根 .

中国专利 :CN101796661A ,2010-08-04

[10]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

小出典克 ;

山本淳次 ;

堂北刚 ;

泽木宣彦 ;

本田善央 ;

黑岩洋佑 ;

山口雅史 .

中国专利 :CN1419301A ,2003-05-21

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