薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380024968.5

申请日：

2023-02-28

公开(公告)号：

CN118974312A

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

延昌峰李承铉郑在善南知贤

申请人：

秀博瑞殷株式公社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/30

代理机构：

成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258

代理人：

洪玉姬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20230228
2024-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN119137308A ,2024-12-13

[2]

薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118871612A ,2024-10-29

[3]

薄膜改性组合物、使用其形成薄膜的方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118871613A ,2024-10-29

[4]

薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118871616A ,2024-10-29

[5]

薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

郑在善 ;

延昌峰 ;

南知贤 ;

曹德贤 .

韩国专利 :CN120752737A ,2025-10-03

[6]

薄膜遮蔽剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118922582A ,2024-11-08

[7]

真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件 [P].

延昌峰 ;

郑在善 ;

曹德贤 ;

河昭银 ;

南知贤 .

韩国专利 :CN118872027A ,2024-10-29

[8]

薄膜形成物质、薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件 [P].

郑在善 ;

延昌峰 ;

南知贤 ;

曹德贤 .

韩国专利 :CN120752738A ,2025-10-03

[9]

遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

陈齐俊 ;

曹德贤 ;

南知贤 .

韩国专利 :CN118871617A ,2024-10-29

[10]

阶梯覆盖率改善剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118843710A ,2024-10-25

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