薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480014135.5

申请日：

2024-02-22

公开(公告)号：

CN120752737A

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

郑在善延昌峰南知贤曹德贤

申请人：

秀博瑞殷株式公社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21/285

IPC分类号：

H01L21/02 C23C16/06 C23C16/34 C23C16/455 C23C16/18 C07F11/00

代理机构：

成都泛典知识产权代理有限公司 51258

代理人：

宋东颖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	公开	公开
2025-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/285申请日:20240222

共 50 条

[1]

薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118871616A ,2024-10-29

[2]

薄膜形成物质、薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件 [P].

郑在善 ;

延昌峰 ;

南知贤 ;

曹德贤 .

韩国专利 :CN120752738A ,2025-10-03

[3]

薄膜遮蔽剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118922582A ,2024-11-08

[4]

薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN119137308A ,2024-12-13

[5]

薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

延昌峰 ;

李承铉 ;

郑在善 ;

南知贤 .

韩国专利 :CN118974312A ,2024-11-15

[6]

薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118871612A ,2024-10-29

[7]

低温沉积膜形成方法、由该方法制造的半导体基板和半导体器件 [P].

延昌峰 ;

郑在善 .

韩国专利 :CN120858198A ,2025-10-28

[8]

薄膜改性组合物、使用其形成薄膜的方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118871613A ,2024-10-29

[9]

阶梯覆盖率改善剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118843710A ,2024-10-25

[10]

遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

陈齐俊 ;

曹德贤 ;

南知贤 .

韩国专利 :CN118871617A ,2024-10-29

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