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低温沉积膜形成方法、由该方法制造的半导体基板和半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202480015787.0
申请日：
2024-04-24
公开(公告)号：
CN120858198A
公开(公告)日：
2025-10-28
发明(设计)人：
延昌峰 郑在善
申请人：
秀博瑞殷株式公社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
C23C16/455
IPC分类号：
C23C16/44
代理机构：
成都泛典知识产权代理有限公司 51258
代理人：
宋东颖
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-28 公开 公开
2025-11-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20240424
共 50 条
[1]
低温沉积材料、低温沉积膜形成方法、由其制备的半导体基板及半导体器件 [P]. 
延昌峰 ;
郑在善 .
韩国专利 :CN120958168A ,2025-11-14
[2]
薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P]. 
郑在善 ;
延昌峰 ;
南知贤 ;
曹德贤 .
韩国专利 :CN120752737A ,2025-10-03
[3]
薄膜形成物质、薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件 [P]. 
郑在善 ;
延昌峰 ;
南知贤 ;
曹德贤 .
韩国专利 :CN120752738A ,2025-10-03
[4]
薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P]. 
李承铉 ;
郑在善 ;
延昌峰 ;
金德铉 .
韩国专利 :CN118871616A ,2024-10-29
[5]
半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
秦雅彦 ;
山田永 ;
横山正史 ;
金相贤 ;
张睿 ;
竹中充 ;
高木信一 ;
安田哲二 .
中国专利 :CN103563069A ,2014-02-05
[6]
半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
高田朋幸 ;
山田永 ;
秦雅彦 ;
高木信一 ;
前田辰郎 ;
卜部友二 ;
安田哲二 .
中国专利 :CN103548133A ,2014-01-29
[7]
半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
秦雅彦 ;
山田永 ;
横山正史 ;
金相贤 ;
竹中充 ;
高木信一 ;
安田哲二 .
中国专利 :CN103563068A ,2014-02-05
[8]
薄膜遮蔽剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P]. 
李承铉 ;
郑在善 ;
延昌峰 ;
金德铉 .
韩国专利 :CN118922582A ,2024-11-08
[9]
用于准金属氮化膜的沉积物质、准金属氮化膜形成方法、由其制造的半导体基板以及半导体器件 [P]. 
李承铉 ;
郑在善 ;
延昌峰 .
韩国专利 :CN120813722A ,2025-10-17
[10]
半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P]. 
金辰寿 ;
林昌文 .
中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22
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