共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380027561.8
申请日：
2023-10-11
公开(公告)号：
CN118872027A
公开(公告)日：
2024-10-29
发明(设计)人：
延昌峰
郑在善
曹德贤
河昭银
南知贤
申请人：
秀博瑞殷株式公社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/311
C23C16/02
C23C16/455
代理机构：
成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258
代理人：
宋东颖
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-29 | 公开 | 公开 |
| 2024-11-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20231011 |