活化剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380027566.0

申请日：

2023-03-17

公开(公告)号：

CN118974313A

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

李承铉郑在善延昌峰金种文

申请人：

秀博瑞殷株式公社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/40 H01L21/02

代理机构：

成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258

代理人：

宋东颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20230317
2024-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

活化剂、使用其制造的半导体基板及半导体器件 [P].

郑在善 ;

李承铉 ;

延昌峰 .

韩国专利 :CN119948202A ,2025-05-06

[2]

膜质改善剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体器件 [P].

延昌峰 ;

郑在善 ;

李承铉 .

韩国专利 :CN118234890A ,2024-06-21

[3]

遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

延昌峰 ;

郑在善 .

韩国专利 :CN120077464A ,2025-05-30

[4]

介电膜活化剂、使用其制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

郑在善 ;

李承铉 ;

金种文 .

韩国专利 :CN119998490A ,2025-05-13

[5]

真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件 [P].

延昌峰 ;

郑在善 ;

曹德贤 ;

河昭银 ;

南知贤 .

韩国专利 :CN118872027A ,2024-10-29

[6]

半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165073B ,2016-11-23

[7]

膜质改良剂，利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板 [P].

郑在善 ;

延昌峰 ;

李承铉 ;

金种文 .

韩国专利 :CN117941031A ,2024-04-26

[8]

薄膜遮蔽剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

延昌峰 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118922582A ,2024-11-08

[9]

半导体元件的制造方法及半导体基板 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN112740359B ,2021-04-30

[10]

半导体元件的制造方法及半导体基板 [P].

荻原光彦 .

日本专利 :CN113690184B ,2024-11-12

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