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光学邻近修正方法、存储介质及终端
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411135478.5
申请日
:
2024-08-16
公开(公告)号
:
CN118963055A
公开(公告)日
:
2024-11-15
发明(设计)人
:
王科
任堃
高大为
吴永玉
申请人
:
浙江创芯集成电路有限公司
申请人地址
:
311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号
IPC主分类号
:
G03F1/36
IPC分类号
:
G03F7/20
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
吴敏
法律状态
:
授权
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-25
授权
授权
2024-11-15
公开
公开
2024-12-03
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/36申请日:20240816
共 50 条
[1]
光学邻近修正方法、存储介质及终端
[P].
王科
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
王科
;
任堃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
任堃
;
高大为
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
高大为
;
吴永玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
吴永玉
.
中国专利
:CN118963055B
,2025-11-25
[2]
光学邻近修正方法、存储介质及终端
[P].
钟晨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
钟晨
;
王栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
王栋
.
中国专利
:CN120215196A
,2025-06-27
[3]
光学邻近修正方法、存储介质及终端
[P].
钟晨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
钟晨
;
王栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
王栋
.
中国专利
:CN120215197A
,2025-06-27
[4]
光学邻近修正方法、装置、设备及存储介质
[P].
方超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
方超
;
刘文东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
刘文东
.
中国专利
:CN121050167A
,2025-12-02
[5]
光学邻近修正方法及其修正装置、可读存储介质
[P].
徐世斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
徐世斌
;
高大为
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
高大为
;
吴永玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
吴永玉
;
任堃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
任堃
;
鲁苗苗
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
鲁苗苗
;
颜哲钜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
颜哲钜
;
姚淼红
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
姚淼红
;
张馨元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
张馨元
;
李翰轩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
李翰轩
.
中国专利
:CN119668018A
,2025-03-21
[6]
光学邻近效应修正方法、装置、设备及存储介质
[P].
苌现
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
苌现
;
朱画
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
朱画
;
张帆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
张帆
.
中国专利
:CN120993682A
,2025-11-21
[7]
光学邻近修正方法和系统、设备及存储介质
[P].
刘文东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
刘文东
;
项偲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
项偲
;
方超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
方超
.
中国专利
:CN120928642A
,2025-11-11
[8]
光学邻近修正模型校准方法、存储介质及终端
[P].
胡月
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
胡月
;
王健
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王健
;
王良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王良
.
中国专利
:CN121091592A
,2025-12-09
[9]
刻蚀补偿偏差的获取方法、光学邻近修正方法、存储介质及终端
[P].
袁姣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
袁姣
.
中国专利
:CN120831876A
,2025-10-24
[10]
刻蚀补偿偏差的获取方法、光学邻近修正方法、存储介质及终端
[P].
袁姣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
袁姣
;
孙卫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
孙卫
.
中国专利
:CN120831877A
,2025-10-24
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