一种新型AT膜层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411248484.1

申请日：

2024-09-06

公开(公告)号：

CN119040802A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

邓永琪冯刚秦振芳乔军昌

申请人：

苏州星蓝纳米技术有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江区江陵街道茂源路8号

IPC主分类号：

C23C14/02

IPC分类号：

C23C14/34 C23C14/06

代理机构：

苏州视界专利代理事务所(普通合伙) 32684

代理人：

董燕

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	公开	公开
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/02申请日:20240906

共 50 条

[1]

一种柔性膜制作方法 [P].

朱磊 ;

周健 ;

张继凡 .

中国专利 :CN113463048A ,2021-10-01

[2]

一种新型藏纸及其制作方法 [P].

段丽 .

中国专利 :CN117988151A ,2024-05-07

[3]

用于互连层结构的掩膜组件及互连层的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN105226049B ,2016-01-06

[4]

一种绝缘防潮层的制作方法 [P].

刘秀棉 ;

王建斌 ;

陈田安 ;

解海华 .

中国专利 :CN104312363A ,2015-01-28

[5]

一种FDSOI的锗硅层的制作方法 [P].

陈勇跃 ;

洪佳琪 ;

颜强 ;

谭俊 ;

周海锋 ;

成鑫华 ;

方精训 .

中国专利 :CN113937055B ,2025-09-30

[6]

一种FDSOI的锗硅层的制作方法 [P].

陈勇跃 ;

洪佳琪 ;

颜强 ;

谭俊 ;

周海锋 ;

成鑫华 ;

方精训 .

中国专利 :CN113937055A ,2022-01-14

[7]

一种水晶瓷粉的制作方法 [P].

汪洪伢 .

中国专利 :CN1126228A ,1996-07-10

[8]

栅极介电层的制作方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760655A ,2012-10-31

[9]

闸介电层的制作方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760658A ,2012-10-31

[10]

一种新型晶体管的制作方法 [P].

刘程秀 .

中国专利 :CN110620044A ,2019-12-27

← 1 2 3 4 5 →