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半导体结构及其制备方法、存储器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310636680.5
申请日：
2023-05-31
公开(公告)号：
CN119069516A
公开(公告)日：
2024-12-03
发明(设计)人：
刘朝
申请人：
北京超弦存储器研究院
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
IPC主分类号：
H01L29/45
IPC分类号：
H01L29/78
H01L21/34
H10B10/00
H10B12/00
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
王存霞
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/45申请日:20230531 |
| 2024-12-03 | 公开 | 公开 |