ウェハの抵抗率の測定方法[ja]

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申请号
JP20210198945
申请日
2021-12-08
公开(公告)号
JP7506649B2
公开(公告)日
2024-06-26
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6878188B2 ,2021-05-26
[2]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7487655B2 ,2024-05-21
[3]
ウェハ平坦度の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6079698B2 ,2017-02-15
[4]
ウェーハ形状の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7143831B2 ,2022-09-29
[5]
高抵抗材料の抵抗率測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7036043B2 ,2022-03-15
[6]
半導体ウェーハの比抵抗値測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5684449B2 ,2015-03-11
[8]
半導体ウェハの温度測定方法[ja] [P]. 
OKADA SHUNSUKE ;
NISHIO YOSHIFUMI .
日本专利 :JP2024180109A ,2024-12-26
[9]
SOIウェーハのSOI層の膜厚測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5712778B2 ,2015-05-07
[10]
薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7160779B2 ,2022-10-25