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ウェハの抵抗率の測定方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210198945
申请日
:
2021-12-08
公开(公告)号
:
JP7506649B2
公开(公告)日
:
2024-06-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/66
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6878188B2
,2021-05-26
[2]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7487655B2
,2024-05-21
[3]
ウェハ平坦度の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6079698B2
,2017-02-15
[4]
ウェーハ形状の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7143831B2
,2022-09-29
[5]
高抵抗材料の抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7036043B2
,2022-03-15
[6]
半導体ウェーハの比抵抗値測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5684449B2
,2015-03-11
[7]
ウェハの汚染測定装置およびウェハの汚染測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6047551B2
,2016-12-21
[8]
半導体ウェハの温度測定方法[ja]
[P].
OKADA SHUNSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
OKADA SHUNSUKE
;
NISHIO YOSHIFUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
NISHIO YOSHIFUMI
.
日本专利
:JP2024180109A
,2024-12-26
[9]
SOIウェーハのSOI層の膜厚測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5712778B2
,2015-05-07
[10]
薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7160779B2
,2022-10-25
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