ウェハの汚染測定装置およびウェハの汚染測定方法[ja]

被引:0
申请号
JP20140501000
申请日
2012-03-21
公开(公告)号
JP6047551B2
公开(公告)日
2016-12-21
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
G01N1/28
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
ウェハの抵抗率の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7506649B2 ,2024-06-26
[2]
ウェハ平坦度の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6079698B2 ,2017-02-15
[3]
ウェーハ形状の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7143831B2 ,2022-09-29
[4]
汚染物質測定装置、及び汚染物質測定方法[ja] [P]. 
TOIDA HIDEKI .
日本专利 :JP2024048001A ,2024-04-08
[5]
半導体ウェハの温度測定方法[ja] [P]. 
OKADA SHUNSUKE ;
NISHIO YOSHIFUMI .
日本专利 :JP2024180109A ,2024-12-26
[8]
[9]
SOIウェーハのSOI層の膜厚測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5712778B2 ,2015-05-07
[10]
薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7160779B2 ,2022-10-25