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ウェハの汚染測定装置およびウェハの汚染測定方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140501000
申请日
:
2012-03-21
公开(公告)号
:
JP6047551B2
公开(公告)日
:
2016-12-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/66
IPC分类号
:
G01N1/28
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ウェハの抵抗率の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7506649B2
,2024-06-26
[2]
ウェハ平坦度の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6079698B2
,2017-02-15
[3]
ウェーハ形状の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7143831B2
,2022-09-29
[4]
汚染物質測定装置、及び汚染物質測定方法[ja]
[P].
TOIDA HIDEKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEEDSTEC KK
SEEDSTEC KK
TOIDA HIDEKI
.
日本专利
:JP2024048001A
,2024-04-08
[5]
半導体ウェハの温度測定方法[ja]
[P].
OKADA SHUNSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
OKADA SHUNSUKE
;
NISHIO YOSHIFUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
NISHIO YOSHIFUMI
.
日本专利
:JP2024180109A
,2024-12-26
[6]
放射能表面汚染密度測定装置および該測定装置による放射能表面汚染密度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6427533B2
,2018-11-21
[7]
気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5884705B2
,2016-03-15
[8]
汚泥活性度測定装置および汚泥活性度の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6191404B2
,2017-09-06
[9]
SOIウェーハのSOI層の膜厚測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5712778B2
,2015-05-07
[10]
薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7160779B2
,2022-10-25
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