気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20120229198

申请日：

2012-10-16

公开(公告)号：

JP5884705B2

公开(公告)日：

2016-03-15

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

C23C16/44 H01L21/66

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共 50 条

[1]

エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6724852B2 ,2020-07-15

[2]

ウェハの汚染測定装置およびウェハの汚染測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6047551B2 ,2016-12-21

[3]

ＳｉＣウェハの欠陥測定方法、標準サンプル及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6931995B2 ,2021-09-08

[4]

シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6413943B2 ,2018-10-31

[5]

抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6504133B2 ,2019-04-24

[6]

半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6493498B1 ,2019-04-03

[7]

半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置[ja] [P].

日本专利 :JP7211475B1 ,2023-01-24

[8]

気相成長装置の膜厚測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6172672B2 ,2017-08-02

[9]

ウェーハ形状の測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7143831B2 ,2022-09-29

[10]

半導体ウェーハの測定方法、その製造工程の管理方法、及び半導体ウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006018961A1 ,2008-05-08

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