半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20210201234

申请日：

2021-12-10

公开(公告)号：

JP7211475B1

公开(公告)日：

2023-01-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

C23C16/52

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共 50 条

[1]

半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6493498B1 ,2019-04-03

[2]

エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6724852B2 ,2020-07-15

[3]

シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6413943B2 ,2018-10-31

[4]

気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5884705B2 ,2016-03-15

[5]

半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja] [P].

日本专利 :JP6683277B1 ,2020-04-15

[6]

ＳｉＣウェハの欠陥測定方法、標準サンプル及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6931995B2 ,2021-09-08

[7]

半導体ウエハの厚み測定方法及び半導体ウエハ加工装置[ja] [P].

日本专利 :JP5890767B2 ,2016-03-22

[8]

抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6504133B2 ,2019-04-24

[9]

半導体ウェーハの厚み分布測定システムおよび半導体ウェーハ研磨システム、半導体ウェーハの厚み分布測定方法および半導体ウェーハの厚み取り代分布測定方法、ならびに半導体ウェーハの研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JP6465015B2 ,2019-02-06

[10]

半導体ウェーハの測定方法、その製造工程の管理方法、及び半導体ウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006018961A1 ,2008-05-08

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