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シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150120650
申请日
:
2015-06-15
公开(公告)号
:
JP6413943B2
公开(公告)日
:
2018-10-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/66
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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法律状态信息
共 50 条
[1]
エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6724852B2
,2020-07-15
[2]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6878188B2
,2021-05-26
[3]
シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7487655B2
,2024-05-21
[4]
N型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5900305B2
,2016-04-06
[5]
抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6504133B2
,2019-04-24
[6]
ウェハの抵抗率の測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7506649B2
,2024-06-26
[7]
高抵抗シリコンウェーハの厚さ測定方法及び平坦度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7764239B2
,2025-11-05
[8]
シリコンウェーハのニッケル濃度測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5614390B2
,2014-10-29
[9]
SiCウェハの欠陥測定方法、標準サンプル及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6931995B2
,2021-09-08
[10]
シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7552942B1
,2024-09-18
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