Ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20120270046

申请日：

2012-12-11

公开(公告)号：

JP5900305B2

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

申请人：

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IPC主分类号：

H01L21/66

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共 50 条

[1]

シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6413943B2 ,2018-10-31

[2]

エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6724852B2 ,2020-07-15

[3]

炭化珪素エピタキシャル層の厚みの測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7230551B2 ,2023-03-01

[4]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7552942B1 ,2024-09-18

[5]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

MIHARA KEISUKE ;

YAZAWA SHIGERU ;

OZEKI MASAAKI ;

TANAKA YUKI .

日本专利 :JP2025116385A ,2025-08-08

[6]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7172747B2 ,2022-11-16

[7]

単結晶シリコンの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7172878B2 ,2022-11-16

[8]

抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6504133B2 ,2019-04-24

[9]

シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7487655B2 ,2024-05-21

[10]

シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6878188B2 ,2021-05-26

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