エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20170083171

申请日：

2017-04-19

公开(公告)号：

JP6724852B2

公开(公告)日：

2020-07-15

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

G01B11/06 H01L21/205 H01L21/265 H01L21/322

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共 50 条

[1]

シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6413943B2 ,2018-10-31

[2]

Ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP5900305B2 ,2016-04-06

[3]

ＳｉＣウェハの欠陥測定方法、標準サンプル及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6931995B2 ,2021-09-08

[4]

炭化珪素エピタキシャル層の厚みの測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7230551B2 ,2023-03-01

[5]

抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6504133B2 ,2019-04-24

[6]

気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5884705B2 ,2016-03-15

[7]

埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7028154B2 ,2022-03-02

[8]

半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6493498B1 ,2019-04-03

[9]

半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置[ja] [P].

日本专利 :JP7211475B1 ,2023-01-24

[10]

シリコンウェーハの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6878188B2 ,2021-05-26

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