薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20190182831

申请日：

2019-10-03

公开(公告)号：

JP7160779B2

公开(公告)日：

2022-10-25

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G01B11/06

IPC分类号：

H01L21/66

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共 50 条

[1]

ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP5712778B2 ,2015-05-07

[2]

ウェーハ形状の測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7143831B2 ,2022-09-29

[3]

ウェハの抵抗率の測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7506649B2 ,2024-06-26

[4]

ウェハ平坦度の測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6079698B2 ,2017-02-15

[5]

半導体ウェーハの厚み分布測定システムおよび半導体ウェーハ研磨システム、半導体ウェーハの厚み分布測定方法および半導体ウェーハの厚み取り代分布測定方法、ならびに半導体ウェーハの研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JP6465015B2 ,2019-02-06

[6]

酸化膜の膜厚測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7148438B2 ,2022-10-05

[7]

半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja] [P].

日本专利 :JP6683277B1 ,2020-04-15

[8]

膜厚分布測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6520795B2 ,2019-05-29

[9]

膜厚分布測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP5660026B2 ,2015-01-28

[10]

ウェハの汚染測定装置およびウェハの汚染測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6047551B2 ,2016-12-21

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