半导体器件、叠层结构及半导体封装方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410962580.6
申请日
2024-07-18
公开(公告)号
CN118888536A
公开(公告)日
2024-11-01
发明(设计)人
高滢滢 张超 庞宏林 张成
申请人
甬矽半导体(宁波)有限公司
申请人地址
315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号
IPC主分类号
H01L23/538
IPC分类号
H01L21/768
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
徐彤
法律状态
公开
国省代码
浙江省 宁波市
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共 50 条
[1]
半导体器件及叠层结构 [P]. 
高滢滢 ;
张超 ;
庞宏林 ;
张成 .
中国专利 :CN222927494U ,2025-05-30
[2]
封装结构及半导体器件 [P]. 
张志伟 .
中国专利 :CN210805767U ,2020-06-19
[3]
半导体叠层封装结构 [P]. 
张卫红 ;
张童龙 .
中国专利 :CN203733791U ,2014-07-23
[4]
半导体封装结构及半导体器件 [P]. 
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[5]
一种半导体封装结构及半导体器件 [P]. 
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[6]
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[7]
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[8]
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王博汉 ;
胡毓祥 ;
郭宏瑞 .
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[9]
半导体叠层封装结构 [P]. 
张卫红 ;
张童龙 .
中国专利 :CN203733774U ,2014-07-23
[10]
叠层封装半导体器件 [P]. 
余振华 ;
叶德强 .
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