半导体器件及叠层结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421705938.9

申请日：

2024-07-18

公开(公告)号：

CN222927494U

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

高滢滢张超庞宏林张成

申请人：

甬矽半导体（宁波）有限公司

申请人地址：

315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号

IPC主分类号：

H01L23/538

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

徐彤

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、叠层结构及半导体封装方法 [P].

高滢滢 ;

张超 ;

庞宏林 ;

张成 .

中国专利 :CN118888536A ,2024-11-01

[2]

半导体器件的金属层、叠层结构及半导体器件 [P].

金山 ;

李伊梦 ;

张千一 .

中国专利 :CN120854400A ,2025-10-28

[3]

封装结构及半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN210805767U ,2020-06-19

[4]

半导体叠层封装结构 [P].

张卫红 ;

张童龙 .

中国专利 :CN203733791U ,2014-07-23

[5]

叠层式半导体器件 [P].

松尾美惠 ;

依田孝 .

中国专利 :CN1490874A ,2004-04-21

[6]

一种半导体封装结构及半导体器件 [P].

沈丽娟 .

中国专利 :CN215578538U ,2022-01-18

[7]

叠层结构、半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

C·卡斯泽特兰 ;

A·布雷梅瑟 ;

M·门格尔 .

中国专利 :CN106257663B ,2016-12-28

[8]

半导体叠层封装结构 [P].

张卫红 ;

张童龙 .

中国专利 :CN203733774U ,2014-07-23

[9]

半导体器件栅极叠层 [P].

鲍如强 ;

S·克瑞什南 ;

权彦五 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN108604595A ,2018-09-28

[10]

叠层封装半导体器件 [P].

余振华 ;

叶德强 .

中国专利 :CN103633075B ,2014-03-12

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