半导体器件的金属层、叠层结构及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511004104.4

申请日：

2025-07-21

公开(公告)号：

CN120854400A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

金山李伊梦张千一

申请人：

苏州苏纳光电有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区华凌街9号泰凌产业园1号楼

IPC主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/373 H01L23/64 H10D1/62

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司 32412

代理人：

陆颖

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/367申请日:20250721

共 50 条

[1]

半导体器件及叠层结构 [P].

高滢滢 ;

张超 ;

庞宏林 ;

张成 .

中国专利 :CN222927494U ,2025-05-30

[2]

半导体器件、叠层结构及半导体封装方法 [P].

高滢滢 ;

张超 ;

庞宏林 ;

张成 .

中国专利 :CN118888536A ,2024-11-01

[3]

半导体器件的金属层结构 [P].

金钟勋 .

中国专利 :CN101154648A ,2008-04-02

[4]

半导体器件栅极叠层 [P].

鲍如强 ;

S·克瑞什南 ;

权彦五 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN108604595A ,2018-09-28

[5]

叠层式半导体器件 [P].

松尾美惠 ;

依田孝 .

中国专利 :CN1490874A ,2004-04-21

[6]

叠层封装半导体器件 [P].

余振华 ;

叶德强 .

中国专利 :CN103633075B ,2014-03-12

[7]

叠层结构、半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

C·卡斯泽特兰 ;

A·布雷梅瑟 ;

M·门格尔 .

中国专利 :CN106257663B ,2016-12-28

[8]

半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层 [P].

王启光 ;

靳磊 ;

刘红涛 .

中国专利 :CN109473440A ,2019-03-15

[9]

半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层 [P].

王启光 ;

靳磊 .

中国专利 :CN109473442B ,2019-03-15

[10]

半导体叠层结构及其制造方法以及半导体器件 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN1983585A ,2007-06-20

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