一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111387781.0

申请日：

2021-11-22

公开(公告)号：

CN114093760B

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

卞梁潘连胜杨昱

申请人：

锦州神工半导体股份有限公司

申请人地址：

121000 辽宁省锦州市太和区中信路46号甲

IPC主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/02

代理机构：

北京易捷胜知识产权代理有限公司 11613

代理人：

薛晓萌;齐云

法律状态：

授权

国省代码：

辽宁省锦州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法 [P].

卞梁 ;

潘连胜 ;

杨昱 .

中国专利 :CN114093760A ,2022-02-25

[2]

一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法 [P].

缪燃 .

中国专利 :CN121054480A ,2025-12-02

[3]

一种通过混腐蚀改善平坦度与粗糙度的方法 [P].

卢运增 ;

贺贤汉 ;

胡久林 ;

洪漪 .

中国专利 :CN112951716A ,2021-06-11

[4]

一种硅片酸腐蚀系统 [P].

王海君 ;

杨波 ;

王军 .

中国专利 :CN210897216U ,2020-06-30

[5]

一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法 [P].

田原 ;

于妍 ;

王云彪 ;

陈亚楠 ;

杨召杰 .

中国专利 :CN106391567A ,2017-02-15

[6]

一种高亮度酸腐蚀硅片的制备方法 [P].

田原 ;

王云彪 ;

窦连水 ;

常耀晖 ;

吕菲 ;

于妍 ;

李静坤 .

中国专利 :CN107611015A ,2018-01-19

[7]

一种硅片酸腐蚀系统及方法 [P].

王海君 ;

杨波 ;

王军 .

中国专利 :CN110931400A ,2020-03-27

[8]

一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法 [P].

倪云达 ;

葛正芳 ;

钱大丰 .

中国专利 :CN102839426A ,2012-12-26

[9]

一种侦测硅片平坦度的装置及方法 [P].

李文亮 ;

陈力钧 ;

朱骏 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN103017691A ,2013-04-03

[10]

一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺 [P].

卞梁 ;

潘连胜 ;

何翠翠 .

中国专利 :CN114055256A ,2022-02-18

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