一种高压功率器件单粒子效应批量化测试方法及系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410826287.7

申请日：

2024-06-25

公开(公告)号：

CN118914789A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

张峥郭刚陈启明孙浩瀚刘建成韩金华张艳文张付强殷倩隋丽赵树勇刘翠翠马旭李理

申请人：

中国原子能科学研究院

申请人地址：

102413 北京市房山区新镇三强路1号院

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311

代理人：

田明;耿竹林

法律状态：

公开

国省代码：

内蒙古自治区通辽市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	公开	公开
2024-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240625

共 50 条

[1]

一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法 [P].

姚志斌 ;

张凤祁 ;

郭红霞 ;

何宝平 ;

罗尹虹 ;

赵雯 ;

丁李利 ;

王艳萍 ;

肖尧 ;

王园明 ;

张科营 ;

王伟 .

中国专利 :CN103165192B ,2013-06-19

[2]

一种功率器件的单粒子失效测试系统及测试方法 [P].

舒磊 ;

胡立滨 ;

李博 .

中国专利 :CN120490746A ,2025-08-15

[3]

一种单粒子效应测试方法及测试系统 [P].

张弛 ;

陈朝晖 ;

刘玮 ;

丁晓兵 ;

余江 ;

徐鹏 ;

田得良 ;

郑茂然 ;

陆明 ;

张静伟 ;

陈旭 ;

刘千宽 ;

李捷 ;

甘卿忠 ;

黄智华 .

中国专利 :CN117420417A ,2024-01-19

[4]

异地智能单粒子效应测试系统、方法以及装置 [P].

张战刚 ;

黄云 ;

雷志锋 ;

彭超 ;

何玉娟 ;

肖庆中 .

中国专利 :CN110058104A ,2019-07-26

[5]

用于VDMOS器件单粒子效应测试的自闭环系统 [P].

程利甫 ;

李小磊 ;

徐国庆 ;

刘博 ;

张丽娜 .

中国专利 :CN115639452A ,2023-01-24

[6]

一种存储器单粒子效应测试系统、方法及装置 [P].

郭红霞 ;

琚安安 ;

张凤祁 ;

周益春 ;

欧阳晓平 ;

张鸿 ;

钟向丽 .

中国专利 :CN112164418B ,2021-01-01

[7]

一种SiP器件的单粒子效应测试通用方法 [P].

梅博 ;

吕贺 ;

张洪伟 ;

孙毅 ;

薛玉雄 ;

曹荣幸 ;

张涛 .

中国专利 :CN119165339A ,2024-12-20

[8]

一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法 [P].

马英起 ;

崔艺馨 ;

韩建伟 ;

上官士鹏 ;

王英豪 .

中国专利 :CN113466674A ,2021-10-01

[9]

一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台 [P].

孟洋 ;

蒋煜琪 ;

薛玉雄 ;

曹荣幸 ;

李林欢 ;

黄鑫 ;

汪珂佳 ;

曾祥华 .

中国专利 :CN114295951B ,2024-04-26

[10]

一种用于多通道宇航器件单粒子效应的测试系统 [P].

杜守刚 ;

于春青 ;

杨晓飞 ;

范隆 ;

董攀 ;

郑宏超 ;

王煌伟 ;

陈莉明 ;

毕潇 .

中国专利 :CN202256531U ,2012-05-30

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