等离子体处理装置及基片处理方法

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专利类型
发明
申请号
CN202310512510.6
申请日
2023-05-08
公开(公告)号
CN118919389A
公开(公告)日
2024-11-08
发明(设计)人
王智昊 徐朝阳
申请人
中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请人地址
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
H01J37/32
IPC分类号
H01L21/67
代理机构
上海元好知识产权代理有限公司 31323
代理人
张双红;张静洁
法律状态
公开
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
等离子体处理装置及基片处理方法 [P]. 
涂乐义 ;
叶如彬 .
中国专利 :CN113838734A ,2021-12-24
[2]
等离子体隔离环、等离子体处理装置与基片处理方法 [P]. 
江家玮 ;
徐朝阳 .
中国专利 :CN112713075A ,2021-04-27
[3]
等离子体隔离环、等离子体处理装置与基片处理方法 [P]. 
江家玮 ;
徐朝阳 .
中国专利 :CN112713075B ,2024-03-12
[4]
等离子体约束环、等离子体处理装置与基片处理方法 [P]. 
王兆祥 ;
苏兴才 .
中国专利 :CN106898534A ,2017-06-27
[5]
基片处理方法和等离子体处理装置 [P]. 
胜沼隆幸 ;
本田昌伸 .
日本专利 :CN118435327A ,2024-08-02
[6]
基片处理方法和等离子体处理装置 [P]. 
石川慎也 ;
久松亨 .
日本专利 :CN112599407B ,2025-09-30
[7]
基片处理方法和等离子体处理装置 [P]. 
石川慎也 ;
久松亨 .
中国专利 :CN112599407A ,2021-04-02
[8]
等离子体处理装置 [P]. 
涂乐义 ;
叶如彬 ;
徐伟娜 .
中国专利 :CN111326391B ,2020-06-23
[9]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
冈山信幸 ;
松本直树 .
中国专利 :CN102217044A ,2011-10-12
[10]
基片处理方法、等离子体处理装置和基片处理系统 [P]. 
大内健次 ;
松原义久 ;
稻富裕一郎 ;
菊地裕树 .
日本专利 :CN120202528A ,2025-06-24