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半导体装置以及半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410615134.8
申请日：
2024-05-17
公开(公告)号：
CN119069518A
公开(公告)日：
2024-12-03
发明(设计)人：
原田健司
申请人：
三菱电机株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L29/739
IPC分类号：
H01L29/417
H01L21/28
H01L21/331
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
卢英日
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20240517 |
| 2024-12-03 | 公开 | 公开 |