一种调控金属氧化物膜层亲水性的方法、复合膜层及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411220781.5

申请日：

2024-08-30

公开(公告)号：

CN119101886A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

李翔袁红霞王娟强慧韩萍

申请人：

江苏微导纳米科技股份有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区长江南路27号

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/40 B05D1/00 C25B13/08 C25B1/04 A61L27/30 A61L27/28 A61L27/34 A61L27/50

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

付丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20240830
2024-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件 [P].

行延雅也 ;

村山勇树 ;

永野崇仁 ;

大塚良广 .

中国专利 :CN102933496A ,2013-02-13

[2]

金属氧化物膜的原子层蚀刻方法 [P].

郑星雄 ;

郭正勋 ;

权柄香 ;

曹榕浚 .

韩国专利 :CN119384715A ,2025-01-28

[3]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[4]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

[5]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17

[6]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN109065553A ,2018-12-21

[7]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN104769150A ,2015-07-08

[8]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

日本专利 :CN109065553B ,2025-07-01

[9]

金属氧化物玻璃膜的制造方法 [P].

木村日出雄 .

中国专利 :CN105645779A ,2016-06-08

[10]

多元氧化物的原子层沉积制备方法、多元氧化物膜及多元氧化物膜制品 [P].

李翔 ;

袁红霞 ;

王娟 .

中国专利 :CN120738625A ,2025-10-03

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