半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410519392.6

申请日：

2024-04-28

公开(公告)号：

CN118943096A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

早坂明泰

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/367 H01L29/778 H01L21/335

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体部件以及半导体装置的制造方法 [P].

指田和之 ;

山地瑞枝 ;

吉田贤一 ;

铃木健一 ;

九里伸治 .

中国专利 :CN111448463B ,2020-07-24

[2]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

长谷川浩史 .

日本专利 :CN120812999A ,2025-10-17

[4]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宫本佳典 ;

冈部德太郎 ;

鹿儿岛优也 ;

东谷圭介 ;

尾崎千明 .

中国专利 :CN110364414A ,2019-10-22

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

藤井严 ;

高桥绘里香 .

中国专利 :CN101174675A ,2008-05-07

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

北田瑞枝 ;

浅田毅 ;

山口武司 ;

铃木教章 ;

新井大辅 .

中国专利 :CN108292682A ,2018-07-17

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

冈部达 ;

田中哲宪 ;

家根田刚士 .

中国专利 :CN110476255A ,2019-11-19

[8]

半导体装置、以及半导体装置的制造方法 [P].

保坂泰靖 ;

神长正美 ;

井口贵弘 ;

三泽千惠子 ;

佐藤亚美 ;

土桥正佳 .

日本专利 :CN118922949A ,2024-11-08

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

宫永昭治 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102842585A ,2012-12-26

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

葛西大树 .

中国专利 :CN107026216A ,2017-08-08

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