抑制填料沉降的底部填充胶及其制备方法和芯片封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411355100.6

申请日：

2024-09-27

公开(公告)号：

CN118879253A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

伍得曹东萍廖述杭苏峻兴

申请人：

武汉市三选科技有限公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号海外人才大楼A座17楼1710室

IPC主分类号：

C09J163/00

IPC分类号：

C09J163/02 C09J11/04 H01L23/24

代理机构：

北京众达德权知识产权代理有限公司 11570

代理人：

张庆艺

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-12-27	授权	授权
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09J 163/00申请日:20240927

共 50 条

[1]

抑制填料沉降的底部填充胶及其制备方法和芯片封装结构 [P].

伍得 ;

曹东萍 ;

廖述杭 ;

苏峻兴 .

中国专利 :CN118879253B ,2024-12-27

[2]

底部填充胶及其制备方法和芯片封装结构 [P].

肖德海 ;

喻琴 ;

邓振杰 ;

颜明发 ;

徐玉文 .

中国专利 :CN116144303B ,2024-02-13

[3]

封装芯片用底部填充胶及其制备方法 [P].

蒋章永 ;

李伟 .

中国专利 :CN116063968B ,2025-07-01

[4]

消除渗胶的底部填充胶、其制备方法和2.5D芯片封装结构 [P].

伍得 ;

王圣权 ;

廖述杭 ;

苏峻兴 .

中国专利 :CN118620563B ,2024-11-12

[5]

消除渗胶的底部填充胶、其制备方法和2.5D芯片封装结构 [P].

伍得 ;

王圣权 ;

廖述杭 ;

苏峻兴 .

中国专利 :CN118620563A ,2024-09-10

[6]

一种高性能底部填充胶、其制备方法和芯片封装结构 [P].

伍得 ;

曹东萍 ;

廖述杭 ;

苏峻兴 .

中国专利 :CN118638499B ,2025-01-28

[7]

一种高性能底部填充胶、其制备方法和芯片封装结构 [P].

伍得 ;

曹东萍 ;

廖述杭 ;

苏峻兴 .

中国专利 :CN118638499A ,2024-09-13

[8]

一种强黏着力底部填充胶及其制备方法、芯片封装结构 [P].

伍得 ;

王圣权 ;

廖述杭 ;

王燕玲 .

中国专利 :CN120399620A ,2025-08-01

[9]

一种强黏着力底部填充胶及其制备方法、芯片封装结构 [P].

伍得 ;

王圣权 ;

廖述杭 ;

王燕玲 .

中国专利 :CN120399620B ,2025-09-30

[10]

一种芯片封装用底部填充胶及芯片封装结构 [P].

伍得 ;

王圣权 ;

王义 ;

廖述杭 ;

苏峻兴 .

中国专利 :CN113292957B ,2021-08-24

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