氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310620158.8

申请日：

2023-05-29

公开(公告)号：

CN119040848A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

马亮

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

C23C16/34

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/505 H01L31/0216

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651

代理人：

帅进军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/34申请日:20230529
2024-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法 [P].

赵学玲 ;

范志东 ;

李倩 ;

李永超 ;

王涛 ;

解占壹 .

中国专利 :CN102856174A ,2013-01-02

[2]

晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法 [P].

宋标 ;

董鹏 ;

高艳飞 ;

畅西林 ;

王永冈 .

中国专利 :CN106449782A ,2017-02-22

[3]

太阳能电池用氮化硅坩埚 [P].

冯志峰 .

中国专利 :CN201567387U ,2010-09-01

[4]

氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池 [P].

范志东 ;

赵学玲 ;

李倩 ;

解占壹 ;

李永超 ;

王涛 .

中国专利 :CN102820342A ,2012-12-12

[5]

晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法 [P].

刘贤金 ;

周大良 ;

周小荣 .

中国专利 :CN101834225A ,2010-09-15

[6]

氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池 [P].

范志东 ;

赵学玲 ;

李倩 ;

解占壹 ;

李永超 ;

王涛 .

中国专利 :CN202695460U ,2013-01-23

[7]

太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构 [P].

黄兴 .

中国专利 :CN202352680U ,2012-07-25

[8]

氮化硅膜和太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片 [P].

马继奎 ;

崔景光 ;

李永超 ;

闫英丽 ;

安海娇 .

中国专利 :CN104409338A ,2015-03-11

[9]

一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 [P].

侯泽荣 ;

黄仑 ;

卢春晖 ;

王金伟 ;

崔梅兰 .

中国专利 :CN102903764A ,2013-01-30

[10]

一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法 [P].

郭进 ;

刘文峰 ;

任哲 ;

刘海平 ;

罗亮 .

中国专利 :CN102339872B ,2012-02-01

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