低参数等离子体灰化技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410473997.6

申请日：

2024-04-19

公开(公告)号：

CN118824843A

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

R·维博沃 M·K·阿赫塔尔 G·S·沃尔多

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/3065

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/027申请日:20240419
2024-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体灰化方法 [P].

C·华德费得 ;

O·伊斯寇希亚 ;

韩清源 ;

T·布克雷 ;

P·沙克席威尔 .

中国专利 :CN1868043A ,2006-11-22

[2]

等离子体灰化方法 [P].

田原慈 ;

星直嗣 .

中国专利 :CN1929096A ,2007-03-14

[3]

等离子体介导灰化工艺 [P].

伊凡·贝里 ;

罗世坚 ;

卡洛·沃尔德弗里德 ;

奥兰多·埃斯科尔西亚 .

中国专利 :CN103154820A ,2013-06-12

[4]

等离子体处理方法及等离子体灰化装置 [P].

工藤丰 ;

桧山真 .

中国专利 :CN102891061A ,2013-01-23

[5]

等离子体处理方法以及等离子体灰化装置 [P].

伊东亨 ;

森政士 ;

金清任光 .

中国专利 :CN110808210A ,2020-02-18

[6]

等离子体处理装置和灰化方法 [P].

饭野由规 .

中国专利 :CN100466193C ,2006-10-18

[7]

低阻抗等离子体 [P].

维克托·贝利多-刚扎-雷兹 .

中国专利 :CN101874283B ,2010-10-27

[8]

低功率气态等离子体源 [P].

帕斯卡尔·索尔泰 ;

蒂埃里·拉米 .

中国专利 :CN102187743B ,2011-09-14

[9]

等离子体参数校准方法 [P].

贾军伟 ;

柴昊 ;

张书锋 ;

邓星亮 ;

武宇婧 ;

卢从俊 ;

陈权 .

中国专利 :CN114245553A ,2022-03-25

[10]

等离子体参数测量装置 [P].

宋钟民 ;

尹镛 ;

张城豪 ;

崔然晳 .

韩国专利 :CN120709130A ,2025-09-26

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