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等离子体处理方法以及等离子体灰化装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910648238.8
申请日：
2019-07-17
公开(公告)号：
CN110808210A
公开(公告)日：
2020-02-18
发明(设计)人：
伊东亨 森政士 金清任光
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L213065
IPC分类号：
H01L2167
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
韩丁
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-02-18 公开 公开
2020-03-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20190717
共 50 条
[1]
等离子体处理方法及等离子体灰化装置 [P]. 
工藤丰 ;
桧山真 .
中国专利 :CN102891061A ,2013-01-23
[2]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
岩濑拓 ;
荒濑高男 ;
寺仓聪志 ;
渡边勇人 ;
森政士 .
中国专利 :CN111373511A ,2020-07-03
[3]
等离子体处理方法以及等离子体处理装置 [P]. 
置田尚吾 ;
针贝笃史 ;
伊藤彰宏 .
中国专利 :CN107204274B ,2017-09-26
[4]
等离子体处理方法以及等离子体处理装置 [P]. 
小川正太郎 ;
古川良太 .
日本专利 :CN119852176A ,2025-04-18
[5]
等离子体处理装置以及等离子体处理方法 [P]. 
荒卷徹 ;
横川贤悦 .
中国专利 :CN109950119B ,2019-06-28
[6]
等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置 [P]. 
北川淳一 .
中国专利 :CN100429753C ,2006-03-15
[7]
等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P]. 
李诚泰 ;
小笠原正宏 ;
佐佐木淳一 ;
柳田直人 .
中国专利 :CN102194686A ,2011-09-21
[8]
等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P]. 
李诚泰 ;
土桥和也 .
中国专利 :CN102347231B ,2012-02-08
[9]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25
[10]
等离子体处理方法以及等离子体装置 [P]. 
西宫智靖 ;
扇谷浩通 ;
平本道广 .
中国专利 :CN1992162A ,2007-07-04
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