構造体、光電子デバイス、及び構造体の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240528565

申请日：

2022-11-10

公开(公告)号：

JP2024546447A

公开(公告)日：

2024-12-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G02B5/20

IPC分类号：

B82Y20/00 B82Y40/00 H01L33/50

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共 50 条

[1]

薄膜構造体、及び薄膜構造体の製造方法、並びに半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016152462A1 ,2017-09-28

[2]

光電子半導体デバイス及び製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025504188A ,2025-02-06

[3]

光電子デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016508672A ,2016-03-22

[4]

導電性構造体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023505869A ,2023-02-13

[5]

半導体構造体の製造[ja] [P].

日本专利 :JP2023523167A ,2023-06-02

[6]

半導体素子の製造方法および電子デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007142238A1 ,2009-10-29

[7]

半導体構造および半導体構造の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016530719A ,2016-09-29

[8]

光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024526040A ,2024-07-17

[9]

半導体構造及びその製造方法[ja] [P].

TAO LONG ;

LEE SPENCER RILEY ;

HUANG PIN-HAO ;

HUANG BAU-SHUN ;

CHEN ZE RUI .

日本专利 :JP2025076982A ,2025-05-16

[10]

半導体デバイスの製造[ja] [P].

日本专利 :JP2024527739A ,2024-07-26

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